Anwendung der Zusammensetzungen und Materialeigenschaften eines III-V-Verbindungshalbleiters zu berechnen.
Entweder InP oder GaAs für das Substrat angenommen.
Einige der Zusammensetzungen und Materialparameter des AlGaInAsP-Verbindungshalbleiter sind angegeben, um zu bestimmen die unbekannten Parameter bleiben.
Zusammensetzungen (x, y, z), Gitterkonstante, Dehnung, Bandgap, relative Energie Positionen des Leitungs- und Valenzband und effektive Massen der Elektronen und Löcher: Die folgenden Eigenschaften werden als Ergebnis dargestellt.