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III-V族混晶


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Riferimento Istruzione
Sviluppatore Takuya Ishikawa
1.99 USD

Applicazione per calcolare le composizioni e proprietà del materiale di un semiconduttore composto III-V.
Sia InP o GaAs si assume per il substrato.
Alcune delle composizioni e parametri del materiale del composto semiconduttore AlGaInAsP sono specificati per determinare i parametri ignoti rimangono.
Le seguenti proprietà sono mostrate come risultato: composizioni (x, y, z), costante reticolare, deformazione, bandgap, le posizioni relative dei energia bande di conduzione e di valenza, e efficaci masse dellelettrone e fori.