Применение для расчета составов и свойств материала сложного полупроводника типа III-V.
Либо InP или GaAs, предполагается для подложки.
Некоторые из композиций и материальных параметров полупроводникового соединения AlGaInAsP указаны для определения параметров остаются неизвестными.
Следующие свойства показаны в результате: композиции (х, у, z), постоянная решетки, деформация, ширина запрещенной зоны, относительные положений энергетических зон проводимости и валентных, и эффективные массы электрона и дырки.