应用以计算III-V族化合物半导体的组合物和材料特性。
任一的InP或砷化镓假定为基材。
一些组合物和AlGaInAsP化合物半导体的材料参数的指定来确定保持未知参数。
以下性质被示出为一个结果是：电子和空穴的组合物（X，Y，Z），晶格常数，应变，带隙，导电带和价带的相对能量的位置，并且有效质量。
应用以计算III-V族化合物半导体的组合物和材料特性。
任一的InP或砷化镓假定为基材。
一些组合物和AlGaInAsP化合物半导体的材料参数的指定来确定保持未知参数。
以下性质被示出为一个结果是：电子和空穴的组合物（X，Y，Z），晶格常数，应变，带隙，导电带和价带的相对能量的位置，并且有效质量。